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美财长再炒作所谓中国“产能过剩论” 反遭质问_我的网站

一 |     从几年前的“风雨飘摇”，到今天的“意气风发”，意法半导体走出了令人印象深刻的逆袭足迹，而其“三箭齐发”的扩产动作背后，还蕴含着欧洲半导体产业复兴的“大战略”。    

。在资本市场看来，此时的意法“缓慢而乏味”，在其竞争的大部分细分领域都是“长期的份额输家”，少有的亮点智能手机MEMS可能被苹果用新锐厂商替换，分立器件领域又面临中国厂商激烈的成本竞争，甚至有市场人士暗示，意法应当被谷歌收购，成为后者搭建半导体业务的“养料”。然而随着法国人Jean-Marc Chery接任CEO，意法半导体在2018年后打出了漂亮的“翻身仗”，其ToF传感器等新产品巩固乃至扩大了在高端智能手机中配套份额，而特斯拉在Model 3主逆变器中选用意法半导体碳化硅MOSFET，也将公司送上了车用功率器件的“风口”。03意法复兴的“大棋局”从目前布局看，在传统产品线之外，先进制程与宽禁带材料，是意法半导体未来两大投入重点。首先来看先进制程，意法半导体此次重启向1X纳米工艺节点的进军，明确选择了FD-SOI技术路线为突破重点。而在与格芯的产能合作之前，今年4月份，意法、格芯、Soitec、CEA-Leti就已经宣布组成技术联盟，合作推进下一代FD-SOI技术路线图和产业生态系统培育，比肩Imec的研究机构CEA-Leti展望称，FD-SOI可以扩展至10纳米乃至更小工艺节点。FD-SOI此前在与FinFET技术路线竞争中的失败，既有硅片成本过高等技术原因，也与推动这一技术发展的“Vendor”实力不足有相当大关系，此次FD-SOI技术迭代“重启”，则面对着更为有利的环境。一方面，FinFET在进入更低制程节点后，由于需要使用昂贵的EUV光刻设备，芯片制造成本大幅增加，相当程度上继承传统平面工艺，无需EUV的FD-SOI成本劣势缩小，另一方面，FD-SOI固有的漏电流性能优势，随着汽车、物联网和移动应用的勃兴得以进一步凸显。其次再看宽禁带材料，在垂直一体化的同时，意法半导体碳化硅MOS管也已经发展到了第三代，并可能通过沟槽结构进一步提高性能表现，而在另一热门材料氮化镓（GaN）领域，意法半导体位于法国图尔斯（Tours）的8英寸工厂预计将于2023年投入规模量产，并正在推进集成GaN、BCD工艺GaN等特色技术开发。值得特别强调的是，作为长期以来的欧洲芯片企业“一哥”，时至今日法意两国国有资本仍然在意法半导体享有大股东地位，今年7月法国总统马克龙亲自视察Crolles项目，并宣布向“10纳米技术节点”的研发资金支持，而卡塔尼亚碳化硅项目中，意大利政府同样为其申请了欧盟援助资金中2.925亿欧元的补贴，这样不同寻常的官方支持，使意法半导体近年来的布局方向，相当程度上也折射着欧洲半导体产业政策规划的思路。以先进制程为例，在欧洲2030年半导体产业规划中，对于FD-SOI已经表达了明确兴趣。欧盟委员会近期向欧盟理事会提交的《欧洲芯片法案》附件4（Annex 4）中，就专门针对FD-SOI与FinFET技术路线进行了详细分析，认为欧洲地区产业生态与技术基础，完全可以将FD-SOI推进至10纳米节点，与其后7纳米以下FinFET乃至GAA-FET工艺相衔接。欧盟对FD-SOI的“执念”背后，是其芯片产业“自主可控”的诉求，FD-SOI的大规模产业化，意味着开辟一个与FinFET可以相区别的先进逻辑芯片制造生态，欧洲本土企业无疑将是最大的获益者，也将大大有助于提升供应链上欧洲本土配套的比例。尽管美国目前极力拉拢欧盟，英特尔也信誓旦旦将在其投资的德国工厂上马最先进的GAA-FET工艺，但欧洲对先进FD-SOI技术步步为营的布局，依然透露出其战略规划层面的“清醒”。

六 | 04结语重新“支棱”起来的意法半导体及其战略布局，为中国产业界也带来了有力的鼓舞和有益的镜鉴，对于后者而言，先进制程逻辑芯片制造面临着更为严峻的外部遏制压力，大陆产学研机构也有不少正在FD-SOI技术路线上默默耕耘，这条能够绕开EUV的“小路”，有必要得到更多企业更大力度的“平整”和“拓宽”。而在宽禁带材料领域，与眼花缭乱数十上百个国内碳化硅、氮化镓项目相比，刚刚着手建设欧洲首个6英寸碳化硅衬底量产工厂的意法半导体，在市场上却有着强劲许多的竞争力，在宣发融资的“热闹”背后，新赛道如何商业落地，需要国内企业更多思考。

七 |

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Published on:04:20:18